调制偏振光相位延迟精密测量仪

SGO-6型

调制偏振光相位延迟精密测

量装置

使用说明书

目 录

1简介 ...................................................... 3 2 实验原理 . ................................................. 3

2.1 偏振光的产生和检验 . ............................................ 3 2.2马吕斯定律 ..................................................... 3 2.3 波片 . .......................................................... 4 2.4一次电光效应和晶体的折射率椭球 ................................. 5 2.5电光调制原理 ................................................... 7

3．安装 . ................................................... 11 4 仪器规格及参数 . .......................................... 11 5实验内容 ................................................. 12

5.1 电光晶体调制实验 . ............................................ 12 5.2 相位补偿器的补偿应用 . ........................................ 16 5.3调制补偿的组合使用 ........................................... 17

6 注意事项 . ................................................ 17

1简介

调制偏振光在光学精密测量和光学传递中有重要的应用价值，光学相位延迟系统的研究，可以测量任意光学相位延迟量。本实验内容涉及调制偏振光、相位延迟精密测量、偏振光光电检测、电光调制、光点接收等多方面知识。特别适合光电、光信息、光学工程、光电检测等专业本科或研究生教学，也可用在科研部门。

2 实验原理

2.1 偏振光的产生和检验

光是电磁波，可用两个相互垂直的振动矢量——电矢量E 和磁矢量H 表征。因物质与电矢量的作用大于对磁矢量的作用，习惯上称E 矢量为光矢量，代表光振动。

光在传播过程中遇到介质发生反射、折射、双折射或通过二向色性物质时，本来具有随机性的光振动状态就会起变化，发生各种偏振现象。若光振动局限在垂直于传播方向的平面内，就形成平面偏振光，因其电矢量末端的轨迹成一直线，通称线偏振光；若只是有较多的电矢量取向于某固定方向，称作部分偏振光。再者，如果一种偏振光的电矢量随时间作有规律的变动，它的末端在垂直于传播方向的平面上的轨迹呈椭圆或圆形，这种偏振光就是椭圆偏振光或圆偏振光。

一般情况下，人的眼睛不能直接检查偏振光，但可用一个偏振器面对偏振光进行检视，这个偏振器就成为检偏器。

2.2马吕斯定律

如果光源中的任一波列（用振动平面E 表示）投射在起偏器P 上（图1），只有相当于它的成份之一的Ey （平行于光轴方向的矢量）能够通过，另一成份

Ex （=E cosθ）则被吸收。

图 1

若投射在检偏器A 上的线偏振光的振幅为E0，则透过A 的振幅为E0 cosθ（这里θ是P 与A 偏振化方向之间的夹角）。由于光强与振幅的平方成正比，可知透射光强I 随θ而变化的关系为

这就是马吕斯定律。 2.3 波片

若使线偏振光垂直入射一透光面平行于光轴，厚度为d 的晶片（图2），此光因晶片的各向异性而分裂成遵从折射定律的寻常光（o 光）和不遵从折射定律的非常光（e 光）。

2

I =I 0c o s θ

图 2

图（2）线偏振光有一定相位差的o 光和e 光，在晶体中这两个相互垂直的

振动方向有不同的光速，分别称做快轴和慢轴。设入射光振幅为A ，振动方向与光轴夹角为θ，入射晶面后o 光和e 光振幅分别为Asinθ和Acosθ,出射后相位差

ϕ=2π(n o -n e )d

λ

式中λ是光在真空中的波长，no 和ne 分别是o 光和e 光的折射率。 这种能使相互垂直振动的平面偏振光产生一定相位差的晶片就叫做波片 2.4一次电光效应和晶体的折射率椭球

由电场所引起的晶体折射率的变化，称为电光效应。通常可将电场引起的折射率的变化用下式表示：

n = n0 + aE0 +bE02+…… （1）

式中a 和b 为常数，n 0为不加电场时晶体的折射率。由一次项aE 0引起折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔（Pokells ）效应；由二次项bE 02引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔（Kerr ）效应。一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。

图 1

光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。如图1，通常用折射率球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为

x

22n 1

+

y

2

2n 2

+

z

2

2n 3

=1

（2）

式中n 1、n 2、n 3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成

x

2

2n 11

+

y

2

2n 22

+

z

2

2n 33

+

2yz

2n 23

+

2xz

2n 13

+

2xy

2n 12

=1

（3）

晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应。通常KD*P（磷酸二氘钾）类型的晶体用它的纵向电光效应，LiNbO 3（铌酸锂）类型的晶体用它的横向电光效应。本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应，用铌酸锂晶体的横向调制装置测量铌酸锂晶体的半波电压及电光系数，并用两种方法改变调制器的工作点，观察相应的输出特性的变化。

铌酸锂晶体属于三角晶系，3m 晶类，主轴z 方向有一个三次旋转轴，光轴与z 轴重合，是单轴晶体，折射率椭球是旋转椭球，其表达式为

x 2+y 2

2

n 0

+

z 2

2n e

=1

（4）

式中n0和ne 分别为晶体的寻常光和非常光的折射率。加上电场后折射率椭球发生畸变，当x 轴方向加电场，光沿z 轴方向传播时，晶体由单轴晶变为双轴晶，垂直于光轴z 轴方向的折射率椭球截面由圆变为椭圆，此椭圆方程为

(1

2n 0

-γ22E x ) x 2+(

1

2n 0

+γ22E x ) y 2-2γ22E x xy =1

（5）

其中的γ22称为电光系数。上式进行主轴变换后可得到

(1n 0

2

-γ22E x ) x '2+(

1n 0

2

+γ22E x ) y '2=1

（6）

考虑到n 0γ22E x

n x '=n 0+n y '=n 0-

13

n γE

2022x

13

n γE

2022x （7）

2

折射率椭球截面的椭圆方程化为

x '

22n x '

+

y '

2

n 2y '

=1

（8）

2.5电光调制原理

要用激光作为传递信息的工具，首先要解决如何将传输信号加到激光辐射上去的问题，我们把信息加载于激光辐射的过程称为激光调制，把完成这一过程的装置称为激光调制器。由已调制的激光辐射还原出所加载信息的过程则称为解调。因为激光实际上只起到了“携带”低频信号的作用，所以称为载波，而起控制作用的低频信号是我们所需要的，称为调制信号，被调制的载波称为已调波或调制光。按调制的性质而言，激光调制与无线电波调制相类似，可以采用连续的调幅、调频、调相以及脉冲调制等形式，但激光调制多采用强度调制。强度调制是根据光载波电场振幅的平方比例于调制信号，使输出的激光辐射的强度按照调制信号的规律变化。激光调制之所以常采用强度调制形式，主要是因为光接收器一般都是直接地响应其所接受的光强度变化的缘故。

激光调制的方法很多，如机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制和电源调制等。其中电光调制器开关速度快、结构简单。因此，在激光调制技术及混合型光学双稳器件等方面有广泛的应用。电光调制根据所施加的电场方向的不同，可分为纵向电光调制和横向电光调制。利用纵向电光效应的调制，叫做纵向电光调制，利用横向电光效应的调制，叫做横向电光调制。实验只做LiNbO 3晶体的横向电光调制实验。 2.5.1横向电光调制

图 2

图2为典型的利用LiNbO 3晶体横向电光效应原理的激光振幅调制器。其中起偏振片的偏振方向平行于电光晶体的x 轴，检偏振片的偏振方向平行于y 轴。因此入射光经起偏振片后变为振动方向平行于x 轴的线偏振光，它在晶体的感应轴x′和y′轴上的投影的振幅和相位均相等，设分别为

ex′=A0cosωt , ey′=A0cosωt （9） 或用复振幅的表示方法，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为

Ex′(0)=A , Ey′(0)=A （10） 所以，入射光的强度是

I i ∝E ⋅E =E x '(0) +E y '(0) =2A 2

2

2

（11）

当光通过长为l 的电光晶体后，x′和y′两分量之间就产生相位差δ，即

Ex′(l)=A,Ey′(l)=e

-i δ

（12）

通过检偏振片出射的光，是该两分量在y 轴上的投影之和

(E y ) 0=

A 2(e

i δ

-1)

（13）

其对应的输出光强It 可写成

*

I t ∝[(E y ) 0⋅(E y ) 0]=

A 2-i δi δ22δ[(e -1)(e -1)]=2A s i n 22 （14）

由（11）和（14）式，光强透过率T 为

T =

I t δ

=sin 2I i 2

（15）

由（7）式

δ=

2π

(n x '-n y ') l =

2πn 0γ22U

3

λλ

l

d （16）

由此可见，δ和加在晶体上的电压有关，当电压增加到某一值时x′、y′方向的偏振光经过晶体后可产生λ/2的光程差，相应的相位差δ=π，由（15）式可知此时光强透过率T=100%，这时加在晶体上的电压称作半波电压，通常用U π表示。U π是描述晶体电光效应的重要参数。在实验中，这个电压越小越好，如果U π小，需要的调制信号电压也小。根据半波电压值，我们可以估计出电光效应控制透过强度所需电压。由（16）式可得到

U π=

λd

() 3

2n 0γ22l

（17）

其中d 和l 分别为晶体的厚度和长度。由此可见，横向电光效应的半波电压与晶片的几何尺寸有关。由（17）式可知，如果使电极之间的距离d 尽可能的减

少，而增加通光方向的长度l ，则可以使半波电压减小，所以晶体通常加工成细长的扁长方体。由（16）、（17）式可得

δ=π

U

U π

因此，可将（15）式改写成

T =s i n

2

π

2U π

U =s i n

2

π

2U π

(U 0+U m s i n ωt )

（18）

其中U 0是加在晶体上的直流电压，U m sinωt是同时加在晶体上的交流调制信号，U m 是其振幅，ω是调制频率。从（18）式可以看出，改变U 0或U m ，输出特性将相应的有变化。对单色光和确定的晶体来说， U π为常数，因而T 将仅随晶体上所加的电压变化。

2.5.2 改变直流偏压对输出特性的影响

U 0=

U π

2、U m

①当

所示，此时，可获得较高效率的线性调制，把 代入（18）式，得

T =sin (

2

π

4

+

π

2U π

U m sin ωt )

=

1ππ

[1-cos(+U sin ωt )]22U πm 1π[1+sin(U m sin ωt )]2U π

=

(19)

由于Um

πU 1

T ≈[1+(m ) s i n ωt ]

2U π

即 T ∝sinωt (20)

这时，调制器输出的信号和调制信号虽然振幅不同，但是两者的频率却是相同的，输出信号不失真，我们称为线性调制。 ②当

U 0=0

、Um

π

2U π

U π

时，如图3（b ）所示，把

U 0=0

代入（18）式

T =sin 2(

U m sin ωt )

=

≈14

1π[1-cos(U m sin ωt )]2U π

(

π

U π

U m ) 2sin 2ωt

1πU

≈(m ) 2(1-cos 2ωt ) 8U π

T ∝cos2ωt （21）

从（21）式可以看出，输出信号的频率是调制信号频率的二倍，即产生“倍频”失真。若把U 0=U π代入（18）式，经类似的推导

T

1πU

≈1-(m ) 2(1-c o 2s ωt )

8U π

（22）

即T ∝cos2ωt，输出信号仍是“倍频”失真的信号。

(a) (b)

图 3

③直流偏压U0在0伏附近或在出波形将失真。

U π

附近变化时，由于工作点不在线性工作区，输

④当

U 0=

U π

2，Um>U π时，调制器的工作点虽然选定在线性工作区的中心，但

不满足小信号调制的要求，（19）式不能写成（20）式的形式。因此，工作点虽然选定在了线性区，输出波形仍然是失真的。

3．安装

3.1．开箱

打开仪器的包装后，请对照装箱单对仪器的整套性进行认真清点验收，如发现与装箱单不符或者仪器表面有明显的受损现象请立即与售方联系解决。 3.2．安装场地

该仪器是实验用仪器。为了提高仪器的工作质量和延长仪器的使用寿命，在选择仪器安装场地时应注意以下几点：

1．环境温度 20±5℃ 2．净化湿度 ＜65%

3．无强振动源、无强电磁场干扰。 4．室内保持清洁、无腐蚀性气体。 5．仪器应放置在坚固的平台上。 6．仪器放置处不可长时间受阳光照射。

7．室内应具稳压电源装置对仪器供电，装有地线，保证仪器接地良好。

4 仪器规格及参数（主要部件）

5实验内容

5.1 电光晶体调制实验

实验仪器

晶体电光调制实验装置图

观察晶体的会聚偏振光干涉图样和电光效应

5．1．1调节激光管使激光束与晶体调节台上表面平行，同时使光束通过各光学

图 4

元件中心。调节起偏振片和检偏振片正交，且分别平行于x 轴，y 轴，放上晶体后各器件要细调，精细调节是利用单轴晶体的锥光干涉图样的变化完成的。由于晶体的不均匀性，在检偏振片后面的白屏上可看到一弱光点。 然后紧靠晶体前放一张镜头纸，这时在白屏上可观察到单轴晶体的锥光干涉图样，如图4。一个暗十字图形贯穿整个图样，四周为明暗相间的同心干涉圆环，十字形中心同时也是圆环的中心，它对应着晶体的光轴方向，十字形方向对应于两个偏振片的偏振轴方向。在观察过程中要反复微调晶体，使干涉图样中心与光点位置重合，同时尽可能使图样对称、完整，确保光束既与晶体光轴平行，又从晶体中心穿过的要求，再调节使干涉图样出现清晰的暗十字，且十字的一条线平行于x 轴。这一步调节很重要，调节的好坏，直接影响下一步的测量，因此，一定要耐心，仔细调节。

5．1．2加上直流偏压时呈现双轴晶体的锥光干涉图样，它说明单轴晶体在电场

的作用下变成了双轴晶体。

5．1．3两个偏振片正交时和平行时干涉图样是互补的。

5．1．4

只改变直流偏压的大小时，干涉图样不旋转，只是双曲线分开的距离发

生变化。这一现象说明，外加电场只改变感应主轴方向的主折射率的大小，折射率椭球旋转的角度与电场大小无关。

测定铌酸锂晶体的透过率曲线（即T ～U 曲线），求出半波电压U π，再算出电光系数γ22 。

在实验中，用两种方法测量铌酸锂晶体的半波电压，一种方法是极值法，另一种方法是调制法。 5．1．5极值法

晶体上只加直流电压，不加交流信号，把直流电压从小到大逐渐改变，输出的光强将会出现极小值和极大值，相邻极小值和极大值对应的直流电压之差即是半波电压U π。

具体做法是：光电接收器对准激光光点，放大器的直流输出接。，再增大直流偏压到最大，保持再减小直流偏压到零，若读数始终不超过200mV ，则可以开始测量数据了。加在晶体上的电压在电源面板上的数字表读出，每隔10V 增大一次，再读出相应的数字表的读数作为接收器接收到的光强值，数据填入下表。

以T 为纵坐标，U 为横坐标，画T ～U 关系曲线，确定半波电压U π的数值，并计算电光系数 22。

U π=

λ=632.8nm。 5．1．6调制法

λd

() 3

l 2n 0γ22

晶体厚度d=1.7 mm ，宽度m=5.0mm，长度L=50 mm ，n 0=2.29，激光波长

晶体上直流电压和交流信号同时加上，与直流电压调到输出光强出现极小值或极大值对应的电压值时，输出的交流信号出现倍频失真，出现相邻倍频失真对应的直流电压之差就是半波电压U π。

具体做法是：按下电源面板上“调制”挡，把电源前面板上的调制信号“输出”接到二踪示波器的CH 2上，把放大器的调制信号接到示波器的CH 1上，把CH 1、CH 2上的信号做比较，调节直流偏压，当晶体上加的直流电压到某一值U 1时，输出信号出现倍频失真，再调节直流电压，当晶体上加的直流电压到另一值U 2时，输出信号又出现倍频失真，相继两次出现倍频失真时对应的直流电压之差U 2－U 1就是半波电压U π。这种方法比极值法更精确，因为用极值法测半波电压时，很难准确的确定T ～U 曲线上的极大值或极小值，因而其误差也较大。但是这种方法对调节的要求很高，很难调到最佳状态。如果观察不到两次倍频失真，则需要重新调节暗十字形干涉图样，调整好后再做。

5．1．7改变直流偏压，选择不同的工作点，观察正弦波电压的调制特性

电源面板上的信号选择开关拨到“调制”挡，机内单一频率的正弦波振荡器工作，产生正弦信号，此信号经放大后，加到晶体上，同时，通过面板上的“调制信号”孔，输出此信号，把它接到二踪示波器的CH 1上，作为参考信号。改变直流偏压，使调制器工作在不同的状态，把被调制信号经光电转换、放大后接到双踪示波器的CH 2上，和CH 1上的参考信号比较。选择5个不同的工作点40V 、80V 、120V 、160V 、200V ，观察接收信号的波形并画出图形。

工作点选定在曲线的直线部分，即U 0=U π/2附近时是线性调制；工作点选定在曲线的极小值（或极大值）时，输出信号出现“倍频”失真；工作点选定在极小值（或极大值）附近时输出信号失真，观察时调制信号幅度不能太大，否则调制信号本身失真，输出信号的失真无法判断由什么原因引起的，把观察到的波形描下来，并和前面的理论分析作比较。做这一步实验时，把电源上的调制幅度、调制器上的输入光强、放大器的输出、示波器上的增益（或哀减）这四部分调好，才能观察到很好的输出波形。

5．1．8用1/4波片改变工作点，观察输出特性

在上述实验中，去掉晶体上所加的直流偏压（直流偏压调至0V ），把1/4波

片置入晶体和偏振片之间，绕光轴缓慢旋转时，可以看到输出信号随着发生变化。当波片的快慢轴平行于晶体的感应轴方向时，输出信号线性调制；当波片的快慢轴分别平行于晶体的x 、y 轴时，输出光失真，出现“倍频”失真。因此，把波片旋转一周时，出现四次线性调制和四次“倍频”失真。

值得注意的是，不仅通过晶体上加直流偏压可以改变调制器的工作点，也可以用1/4波片选择工作点，其效果是一样的，但这两种方法的机理是不同的。

5.2 相位补偿器的补偿应用

5.2.1 光路调整，按下图所示摆出实验光路

基本要求：入射光束应垂直到器件的光学表面上，调整入射光方向，使器件表面的光束与入射光大体重合。

入射光偏振方向与补偿器晶轴的交角为45 ，补偿器平移方向即晶体晶轴方向。

5.2.2 实验操作

典型的系统如图所示：由激光器、起偏器、待测器件、补偿器、检偏器和光电接收器组成。

（1）正交调节：将起偏器、检偏器放到光路中。旋转检偏器，使输出光束光强最小，即光功率计读数最小，此时消光，起偏器和检偏器方向正交。

（2）补偿器晶轴方位调节：把补偿器放置到光路中的的起偏器和检偏器之间，光线应垂直穿过光学表面。此时输出光强可能不是最小。绕光传播方向旋转补偿器到消光位置，此时补偿器晶轴方向与入射光偏振方向重合。再将补偿器旋转45 ，拧紧两个螺丝以防止器件转动。

（3）补偿器零位确认：补偿器旋转45 后，光电接收器指示一般不再为最小，调节补偿器测微杆可得到两个消光位置，分别对应补偿器提供相位延迟为0和2π的位置。对任意波长入射光，零相位延迟的位置不变，而2π相位延迟的位置则和入射波长有关。在0和2π之间可对测微丝杆的平移量线性定标。

（4）待测器件晶轴方位调节：补偿器在零相位延迟位置，把待测器件放置到光路中的起偏器和补偿器之间，光线应垂直穿过待测器件的光学表面，绕光

传播方向旋转待测器件到消光位置，此时待测器件晶轴方向与入射光偏振方向重合，再旋转待测器件45 使其晶轴方向一致，此为测量位置。

（5）调节补偿器测微丝杆，可得到任意的相位延迟量。通过补偿器上的测微丝杆的读数，可得待测器件的相位延迟。

（6）如果相位补偿器作为任意相位延迟发生器使用，则略去步骤（4）

5.3调制补偿的组合使用

该实验的实验光路如图所示

(1) 规定光传播方向为Z 轴，起偏器的透振方向为X 轴，按照5.2中相位补偿器的使用方法5.2.1后，再调节补偿器的晶轴与起偏器起振方向一致，然后调节补偿器的晶轴方向与X 轴成45

(2) 然后按照5.2中的方法调节晶体加电后的光轴方向，即在加电状况下，调节电压使得电光调制器的感生轴方向与补偿器晶轴一致。

(3) 此时，电光晶体的调制和相位补偿器的光学补偿作用相互独立，调制作用和补偿作用分开，稳定性好，可以各自独立的研究光学调制作用。也可以由精密的相位补偿器来修正电光调制晶体的透过率曲线。

6 注意事项

1．补偿器的测微丝杆属于精密调节装置，使用时，不可用力过大，以免造成调节不当。搬动相位补偿器时，需托底移动，千万不要将测微丝杆当做手柄使用。

2．在使用器件的过程中，应注意尽量避免直接用手指、潮湿的物体或者其他尖锐的硬物接触镜片的表面，以免损坏镜片的光洁度，影响器件的使用效果。器件使用完毕后应放入原包装盒，存放在干燥，并能够隔绝灰尘的环境中。存放

前，请先对器件前后光学表面进行一定的清洁，特别是要将表面的油污手印清理干净，因为它们会对光学元件造成严重的损害。

3．实验中应避免用手直接接触镜片，造成不必要的污染，如发现镜面较脏，应用混合液（酒精和乙醚4：1）拭擦 。He-Ne 激光管出光时，电极上所加的直流电压高达千伏，要注意人身安全，并避免眼睛直视激光光束。

4．晶体又细又长，容易折断，电极是真空镀的银膜，操作时要注意，晶体电极上面的铜片不能压的太紧或给晶体施加压力，以免压断晶体。

5．光电二极管应避免强光照射，以免烧坏。做实验时，光强应从弱到强，缓慢改变，尽可能在弱光下使用，这样能保证接收器光电转换时线性性良好。

6．电源和放大器上的旋钮顺时针方向为增益加大的方向，因此，电源开关打开前，所有旋钮应该逆时针方向旋转到头，关仪器前，所有旋钮逆时针方向旋转到头后再关电源。