武汉科技大学_材料科学基础20**年考研真题

武汉科技大学

2004年硕士研究生入学考试试题

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说明：1．适用专业2．可使用的常用工具：计算器，绘图工具

3．答题内容写在答题纸上，写在试卷上一律

一一指出下列概念之间的不同之处：（20分）

1一晶体与非晶体 2）初基晶胞与复合晶胞 3）全位错与不全位错

4）位错的多滑移与交滑移 5)过冷与成分过冷

一一试画出面心立方晶体的（111）和（123）面以及[121]

，[110]方向体心立方晶体的（121），（110）面以及[111]

，[100]方向，并计算两种晶体的致密度。（20分）

一一试写出含碳2.5%的铁碳合金从高温液相缓慢冷却到室温的过程中会发生的相变反应，并写出其中的三相平衡反应式，计算室温组织中二次渗碳体的相对含量。（25分）

一一已知刃型位错滑移所需的切应力为

τP-N =2Gexp[-2πa/b(1-υ)]

式中G 为材料的弹性模量，υ为泊松比，a ，b 分别为滑移面的面间距和滑移方向上的原子间距。

试由上式说明晶体形变的滑移面和滑移方向分别为晶体最密排面和最密排方向。（20分）