工艺材料及性能

材料

进口陶瓷基片厚度：0.38mm ，0.25mm

国产陶瓷基片厚度：0.4mm ，0.5mm ，0.8mm ，1.0mm 1.1导电胶

1.2绝缘胶

1.3焊锡 AuSn

1.4外贴元器件薄/厚膜工艺不能提供的分立元器件（1）电阻器

常用的为贴片电阻器、非包封电阻器。

贴片电阻是将金属粉和玻璃铀粉混合，通过丝网印刷在基板上制成的电阻器。耐潮湿、高温，温度系数小。工作温度-55~125℃，最大工作电压与尺寸有关，一般有50V ，150V ，200V 。

非包封电阻器带有引线，可满足特殊场合和性能。典型的由1/8瓦碳合成电阻器和1/20瓦金属膜电阻器。（2）电容器

焊盘

常用芯片尺寸与推荐的焊盘尺寸

对焊盘的要求：

（1）用环氧胶粘接时，焊盘的边长应比芯片对应边长200um 以上（2）用共熔焊贴片时，焊盘边长应比芯片对应边长300um 以上（3）焊盘尺寸应比片状元件尺寸大200um 以上

（4）贴片焊盘边缘到相邻图形的间距，推荐200um 以上，最小100um 工艺

电路互联：将外贴元器件组装到混合集成电路中去。互联分类为：合金键合、固

相键合、熔焊、导电胶粘合。

键合的有关规定

(1)键合点与贴装元件边缘距离大于0.4mm (2)芯片边到基片上的键合点最小距离是0.3mm (3)键合点到管壳壁的最小距离是1.0mm

(4)布线图上点到点测量的焊线最大长度小于2.5mm (5)键合线尽量在x,y 方向，尽量减少斜线

(6)键合线禁止跨过贴装元件。

2.1金线键合

熔断电流：17.5um~0.3A，30um~0.6A，50um~1.4A 额定电流：25um~250mA 2.2硅铝线键合熔断电流：25um~0.5A 额定电流：25um~200mA 2.3封装

基片贴装方法：合金贴装和环氧贴装（1）合金贴装

AuSn 焊片，温度310-320℃ （2）环氧贴装焊接工艺

（1）器件焊盘与基片金属化焊区之间键合Al/Au

（2）倒装焊接：通过芯片表面的焊锡凸点对应的焊接到基片的焊盘上进行键合。（3）自动载带焊接（TAB ），芯片焊到经过特殊设计的聚酰亚胺载带上，以便使芯片在装到芯片上之前，可以预先进行电性测试和老炼。

（1）非气密性树脂封装技术

传递模注塑封型、液态树脂封装型、树脂块封装性。（2）气密性封装

钎焊气密封装技术、激光熔焊封装技术（可靠性更高）

钎焊技术将金属外壳固定在多层布线板上，要求焊料与被钎焊材料之间有良好的浸润性，且与焊料的互相扩散尽量小。通常采用Sn63/Pb37焊料。氧化铝布线板最好采用可伐合金外壳，金属外壳和氧化铝基板电镀Ni/Au层或Au 层，以改善浸润性。焊接时在大约240℃下回流焊。金属外壳上制作用于空气向外逃逸的小孔，焊接后在惰性气体中用共晶焊对小孔进行封装。

激光熔焊封装技术适用于大型MCM 及外形复杂的MCM 。用Ag 焊料将焊接环固定在金属基体，再将金属外壳紧密扣在焊接环上，激光照射密接部位，焊接环与密接部位的金属外壳融化、冷却完成气密封接。

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