单向可控硅

单向可控硅，使用指针表的R×1档位，先找出两个正反向都不通的脚，剩余的那支脚必然是控制极。

将指针万能表的红笔和黑笔，分别接两个不通的级，然后将控制极与接黑笔的脚短路，则指针将转动一定的角度示数，这时又将控制极脱离黑笔，指针如果你保持继续示数不动，则黑笔接的是阳极，红笔接的是阴极。如图所示。

测量的原理就是模拟了可控硅被触发导通的状态，没触发时不通，触发通后，触发撤除，能保持导通。注意必须使用大电流的R×1档，否则可控硅导通后，电流达不到能继续维持的程度，触发信号撤去，可控硅将不能维持继续导通，无法做出判断。因此，指针表的其它电阻档和数字万能表的电流太小，是不能这样检测的。

双相可控硅检测是一样的，只是因为它可以正触发也可以负触发，就是表笔怎么接，都能触发的。

可控硅的特性。

可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。

只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G

和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

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双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

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2. 单向可控硅的检测。

万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万

用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 . t# b) Y# }' h2 `! @

3. 双向可控硅的检测。

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正

确。

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检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节

1.5V干电池，以提高触发电压。 " h4 m4 G$ _0 L# T-

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晶闸管(可控硅)的管脚判别

晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。

（1）极性鉴定：

①将万用表的量程拨到R×10或×100档

②阳极—阴极之间的正向电阻在几百KΩ以上，反向电阻为∞。

③阳极—门极间的正向电阻在几百KΩ以上。

④门极—阴极间的正向电阻约在几十Ω范围内，一般反向电阻比正向电阻大，电阻在几百Ω范围内。

（2）损坏鉴定：

①方法同上。若测得阳极—阴极正反向电阻都很小，说明已经短路。若测得门极—阴极正反向电阻很大，说明可控硅损坏或短路。

②在测量门极正反向电阻时，不要用10K档，以防表内高压反向击穿门极。

如何判断可控硅的三个极？如何判断可控硅是否损坏？如何判断可控硅的三个极？如何判断可控硅是否损坏？

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

如何鉴别可控硅的三个极

1、阳极电位高于是阴极电位

2、控制极有足够的正向电压和电流

两者缺一不可维持导通

1、阳极电位高于阴极电位

2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断

1、阳极电位低于阴极电位

2、阳极电流小于维持电流任一条件即可

2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性

答：简介如下：