单晶硅生长炉原理
单晶硅生长炉原理
单晶硅生长炉原理
首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长;接着,控制籽晶生长出一段长为100m
单晶硅生长炉
m 左右、直径为3~5mm 的细颈,用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程就是引晶;随后,放大晶体直径到工艺要求的大小,一般为75~300mm ,这个过程称为放肩;接着,突然提高拉速进行转肩操作,使肩部近似直角;然后,进入等径工艺,通过控制热场温度和晶体提升速度,生长出一定直径规格大小的单晶柱体;最后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺;这样一个单晶拉制过程就基本完成,进行一定的保温冷却后就可以取出。
直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski )方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。
单晶硅生长炉现状
目前国内外晶体生长设备的现状如下:
美国KAYEX 公司
国外以美国KAYEX 公司为代表,生产全自动硅单晶体生长炉。KAYEX 公司是目前世界上最大,最先进的硅单晶体生长炉制造商之一。KAYEX 的产品早在80年代初就进入中国市场,已成为中国半导体行业使用最多的品牌。该公司生长的硅晶体生长炉从抽真空-检漏-熔料-引晶-放肩-等径-收尾到关机的全过程由计算机实行全自动控制。晶体产品的完整性与均匀性好,直径偏差在单晶全长内仅±1mm。主要产品有CG3000、CG6000、KAYEX100PV 、KAYEX120PV 、KEYEX150,Vision300型,投料量分别为30kg 、60kg 、100kg 、120kg 、150kg 、300kg 。
单晶硅生长炉(3张)
德国CGS GmbH公司
德国Crystal Growing Systems (CGS) GmbH 公司成立于1999年8月,其前身为德国莱宝公司晶体生长部。目前其产品已经覆盖生产6”到16”单晶硅棒的设备,设备主要有
EKZ2700、 EKZ 3500/200、EKZ 3000/300,EKZ 3000/400型,投料量分别为60kg 、150kg 、300kg ,400kg 。
EKZ-2700 EKZ3500/200 EKZ3000/300 EKZ3000/400
图6 德国CGS 公司单晶炉图(来自公司产品样本)
中国西安理工大学研究所
国内以西安理工大学的晶体生长设备研究所为代表,自61年起开始生产晶体生长设备。主要产品有TDR-62B 、TDR-70B 、TDR-80。上虞晶盛机电工程有限公司是国内单晶硅生长炉行业的后起之秀,自主研发了真正的全自动控制系统,产品迅速占领了IC 级硅材料行业和高端太阳能行业,主要产品有TDR80A-ZJS 、TDR80B-ZJS 、TDR80C-ZJS 、TDR85A-ZJS 、TDR95A-ZJS 、TDR112A-ZJS 。
晶体炉特点
HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动,便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计,提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面,便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术,简便干净。
全自动控制系统采用模块化设计,维护方便,可靠性高,抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选,保证控温精度。质量流量计精确控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用,即可满足转动所需的扭矩,又可实现转速的精确控制。质量流量计精确控制氩气流量。
自主产权的控制软件采用视窗平台,操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。
加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。
特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。
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