LiNbO3薄膜的制备方法和应用前景张一兵

第23卷 第1期2002年 3月

材 料 热 处 理 学 报

TRANSACTIONSOFMATERIALSANDHEATTREATMENT

Vol.23 No.1March2002

LiNbO3薄膜的制备方法和应用前景

张一兵, 翁文剑, 杜丕一, 沈 鸽, 韩高荣, 叶志镇

1

2

2

2

2

2

(11江西上饶师范学院化学系,江西上饶 334001;21浙江大学材料系,浙江杭州

310027)

摘 要:对近年来有关LiNbO3薄膜的制备方法、性能及应用前景作了综述。比较详细地阐述了LiNbO3薄膜的几种主要制备方法及其优缺点,分析了用这些方法制成的LiNbO3薄膜的性能,简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些应用,展望了LiNbO3薄膜的发展前景。

关键词:铌酸锂(LiNbO3); 薄膜; 制备; 性能; 应用; 发展前景

中图分类号:TN43 文献标识码:A 文章编号:1009-6264(2002)01-0065-05 铌酸钾具有优良的压电、电光、声光和热电等性质,成为电光装置和声表面装置的首选材料之一。目前主要用来制造光波导、光调制器及声表面波(SAW)装置。铌酸锂之所以是重要的铁电材料,还因为它具有一些独特的性质,诸如有很高的自发极化强度、很高的居里温度(1210e)及很大的双折射值。由于在集成光学装置的大量需求,使得铌酸锂的研究非常活跃。

LiNbO3薄膜的制备方法很多,其中包括:电子束蒸镀法、溅射法(sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、化学气相沉积(CVD)和溶胶-凝胶法(So-lgel)等,这些制备方法各有优缺点,还有待于进一步改进和探索。本文就铌酸锂薄膜的制法特点、性能、器件应用和发展前景作一简单的综述。

结陶瓷、陶瓷粉末和复合金属(反应溅射)或多金属靶(多元靶溅射或反应共溅射)。陶瓷靶寿命较长,薄膜的均匀性和一致性较好,但化学成分比较难调整。粉末靶容易调整化学计量比,也能得到很好的薄膜质量。溅射靶也可以直接采用金属元素,利用可转换的单一金属靶,轮流按时间序列进行溅射,改变各靶的溅射时间可调整薄膜的组成。近年来正在发展且很有希望的制备技术是反应共溅射,即采用多个金属靶同时进行溅射,并分别改变各靶的溅射条件以获得较好的制膜结果。采用金属靶制备薄膜需要在溅射时充入氧气,以生成氧化物,故称为反应溅射。

溅射法制备LiNbO3薄膜,靶材一般用LiNbO3陶瓷或锂、铌两种金属元素。后者将两金属以一定方式分布在可旋转的圆盘上,改变各元素所占面积以调整薄膜的化学组成。靶材直径约60mm,靶材与衬底的距离约30~50mm。衬底一般选用SiO2PSi、LiTaO3、A-Al2O3等。视情况控制适合的溅射气体总压(~110Pa)、氧气分压(~011Pa)。衬底温度常在150e~650e范围内调整。靶功率密度一般为115~2WPcm2,沉积速度为2~5nmPmin。溅射法是微电子技术中适用的一种方法。溅射技术是比较成熟的技术,适用性较广,可制备多种薄膜材料。

溅射法的缺点是:¹溅射靶因使用时间的增加而钝化和老化,从而使薄膜的化学计量比改变;º薄膜生长速度较慢;»难以在大面积的衬底上生长高质量的薄膜;¼薄膜的显微结构及组分均匀性有待改进。112 脉冲激光沉积法(PLD)[1~3,21~24]

PLD法是采用高功率的脉冲激光器产生脉冲照射靶材,在极短的时间内使靶材挥发沉积在所要求的衬底上。这种技术曾用来制备高临界转变温度(Tc)超导薄膜。

PLD法制备LiNbO3薄膜要求靶材的成分与薄膜相同。调定脉冲激光器和指标值(脉冲波长、单脉冲能量、脉宽、脉冲频率等。),选定合适的衬底,衬底温度一般在150e~650e之间,靶面与衬底的距离可控制在3~5cm范围内,注意调整合适的靶与脉冲激光束间的夹角及靶旋速度。为防止沉积过程

1 LiNbO3薄膜的制备方法及其优缺点

目前LiNbO3薄膜的制备方法主要有:电子束蒸镀、金属有机分解、脉冲激光沉积[1~3]、液相蒸发[4~6]、溅射[7~9]、化学气相沉积

[10~11]

,溶胶凝胶法等。归纳起来可概括为以下四

种:溅射(sputtering)法、脉冲激光沉积(PLD)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法[12~14]和溶胶-凝胶(So-lgel)法[15~20]等。表1给出了对四种LiNbO3薄膜制备方法的相互比较及其发展状况的介绍[21~24]。

111 溅射法(sputtering)[7~9,21~24]

目前溅射法应用比较广泛,它利用高速运动的惰性气体离子反靶面上的离子轰击下来后再沉积到衬底上(加热或不加热)。为了改善薄膜层的质量和均匀性,常常采用高频等离子放电并用磁场加以控制(射频磁控溅射)。溅射法靶材有烧

收稿日期: 2001-05-22; 修订日期: 2001-12-15

基金项目: 国家重点实验室访问教授基金、国家自然科学基金(50072023)

作者简介: 张一兵(1963)),男,江西上饶师范学院化学系副教授,硕士。主要从事应用无机化学及无机材料化学的研究。联系电话:)263.net

66材 料 热 处 理 学 报第23卷

表1 LiNbO3薄膜制备方法的比较及其发展状况[21~24]

Table1 ComparisonofthepreparationsofLiNbO3

thinfilmandtheirdevelopment

项 目显微结构化学组成控制均匀性重复性掺杂厚度控制附着力先驱体发展状况

降低退火温度的潜力对衬底材料的敏感性快速沉积能力沉积优质膜能力直接沉积外延膜能力工艺发展要求扩大规模的难度扩大规模的成本设备消耗前景预测

溅射法较好较好较好中难易很好很易得好大中中中好低高高高中

PLD法好好好较好难易好很易得中大中好中好低中中高中

So-lgel法

好很好很好较好易难好难得较好大较大较差大中低低低低较好

MOCVD法很好很好很好好易难好易得较好大中好大好高低高中较好

可与常规的微电子技术相兼容;½设备简易,成本低,周期短,适于大批量生产。缺点是:¹难以配制稳定的先驱体溶液,因为金属醇盐极易水解,对CO2也非常敏感,难以控制;º难以制备高质量的薄膜;»重复性较差;¼薄膜结晶对衬底敏感(要求薄膜与衬底的晶格匹配)。

114 金属有机物化学气相沉积法(MOVCD)

MOVCD法[12~14,21~24]是用载气携带金属有机物(先驱体)的蒸气进入反应室并受热分解沉积到加热的基片上形成薄膜。MOVCD法问世时间不长,已显示出强大的生命力。

MOCVD法制备LiNbO3薄膜的源物质主要是Li(THD)、Nb(THD)4。薄膜衬底有LiTaO3、A-Al2O3等,薄膜的沉积温度500e~700e,反应室总压控制在1331322~2661644Pa,气体流速:1000~3000sccm(O2)、300~900sccm(Ar),填料速率:015~310mmPmin,薄膜生长速率为:115nmPmin。

MOCVD法的优点是:¹薄膜组分控制精确;º薄膜生长速率快(可达10~50nmPmin);»衬底温度较低(

在LiNbO3薄膜的一些应用中(见表4),必须将其集成在半导体硅芯片上,这就要求LiNbO3薄膜的制备与薄膜的后续加工技术都要与硅技术兼容。常规的制备(如脉冲激光、溶胶)凝胶等方法)或后续处理方式,会在薄膜中出现很大的应变,产生其它有害相,使薄膜性能严重恶化,也会使薄膜与衬底间出现阻挡层,因此要求寻找既能保持薄膜材料的高性能,又能大大缩短热处理时间的新方法。

目前所用的快速热处理方法包括:激光束、电子束、离子束和辐照等热处理技术。其中辐照处理方法最具潜力,这种辐照方法能在极短时间内快速热处理(RTP:RapidThermalProcessing)或快速热退火(RTA:RapidThermalAnnealing)。通过对薄膜的快速热处理,有可能获得组分均匀、择尤取向性好的LiNbO3薄膜,满足与硅技术集成和器件实际应用的需要。

中缺氧,应向沉积腔内充入流动的氧气等气体,气体压力控制在10~30Pa之间,视实际需要控制合适的沉积速度(013~110nmPmin)及沉积时间(~1h)。

PLD法的优点是:¹沉积效率高,可制备很厚的膜材;º可降低衬底温度;»能保持较好的薄膜的化学计量组成;¼膜的取向性好,可生长外延膜。缺点是:¹难以制备大面积均匀薄膜;º碎片会损伤薄膜表面。113 溶胶)凝胶法(So-lgel)

[15~24]

So-lgel法是将两种或更多种金属醇盐或其它金属有机物(先驱体)以适合比例溶于一共同溶剂(如乙醇)中,通过水解、聚合形成高度均匀分散的复合金属醇盐(如LiNb(OR)6)溶胶,然后选用一定的覆膜方法在衬底上形成So-lgel薄膜,经干燥和热分解去除溶剂和有机物,热处理成为所需薄膜。

So-lgel法制备LiNbO3薄膜的先驱体一般为金属醇盐,最常用的铌锂醇盐是LiOEt和Nb(OEt)5,溶剂为乙醇。由于金属醇盐对水、二氧化碳极其敏感,故操作须在手套箱中进行,给实验带来了困难。衬底材料主要有SiO2PSi、LiTaO3、A-Al2O3等,在选定的衬底涂上薄膜后,经干燥再进行热处理(温度常在350~750e之间)后即可制得LiNbO3薄膜。

So-lgel法的优点是:¹易于控制薄膜的化学计量组成;º易于调整薄膜化学组分(易掺杂);»易于在大面积衬底上形成结构、形态、组分和厚度分布均匀的薄膜;¼退火温度较低,

2 不同方法制备的LiNbO3薄膜的性能

表2列出了几种用不同方法制备的LiNbO3薄膜的性能,通过对薄膜的光损及其它性能的分析可以看出,目前用金属有机气相沉积法(MOCVD)制备的LiNbO3薄膜质量较好,其光学损失也最低,是一种很有潜力的制膜方法:相比之下,溶胶-凝胶法(So-lgel)制备的LiNbO3薄膜质量稍逊一等,好的LiNbO3薄膜的光损也可达到2dBPcm的水平;一般用于板片(slab)光导应用的薄膜的光损应小于5dBPcm[19],因此,利用上述两种方法完全有可能制造出符合实际应用的LiNbO3薄膜。从表2可知,如果条件控制理想,用溅射法(sputtering)和脉冲激光沉积法(PLD)也能制出较高质量的LiNbO3薄膜,但比起MOCVD法和So-lgel法要差一些。

第1期张一兵等:LiNbO3薄膜的制备方法和应用前景表2 不同方法制备的LiNbO3薄膜性能的比较

Table2 ComparisonoftheperformancesoftheLiNbO3thinfilmbydifferentmethods

光折指数

光 损PdB#cm-1510(TE0)410(TM0)2715(TE0)6147(TE0)2119(TE0)

--310(TE0)310(TE0)410(TM0)

212952127(no)2119(ne)2121(no)2116(ne)

-2132(no)2127(ne)

2(TM0)2(TM0)

010601044

C轴定向生长C轴定向生长

5(TE0)

0101

高质单面取向

104(TM0)

1180

C轴定向生长C轴定向生长C轴定向生长C轴定向生长C轴定向生长(012)(024)高度取向

[1**********]4

无定向C轴定向生长C轴定向生长

-平滑光滑无裂无孔均匀致密光滑(表面粗糙度115nm)光滑(表面粗糙度018nm)光滑(表面粗糙度115nm)光滑均匀

102

蓝宝石(C轴)

710

120

蓝宝石(C轴)

700

500

钽酸锂(C轴)

600

137450

蓝宝石(0001)

SiO2PSi

350650

800100100

Si(110)蓝宝石(001)蓝宝石(001)

600700500

光滑均匀光滑均匀光滑均匀光滑均匀

---200

蓝宝石(110)LiNbO3(110)ZnOPSiO2PSiR-cut蓝宝石

[1**********]0

FWHM(b)

取 向C-轴取向

形 貌光滑均匀

膜厚Pnm157

衬 底蓝宝石(001)

热处理温度Pe500

67

文献[8][9][9][9][30][31][16][19][7][12][13][12][14]

溅射法PLDSol|Gel法MOCVD法

21302(no)21100(n4)

--21029(no)2100(ne)2188

表3 LiNbO3的性质Table3 PropertiesofLiNbO3

性质光折指数,no光折指数,ne双折射

电光系数,r33(mPV)

相对介电常数(25e,100@103Hz) c轴方向 a轴方向压电系数,d31、d33[@10-11CPN]熔点,TmPe居里点,TcPe德拜温度(K)

热膨胀系数(200e~600e)Pe c轴方向 a轴方向密度(25e)(kgPm3)纵向声速(mPs)横向声速(mPs)

-1

3 LiNbO3薄膜的应用

311 LiNbO3薄膜的性质

数值[***********]@10-12

LiNbO3是重要的铁电材料,它的一些性质列于表3[25]。由于它具有高的居里点和电光常数,最适合用于制造光调制器、光开关、光集成器件等。312 LiNbO3薄膜主要的应用示例

目前,铌酸锂薄膜的应用主要侧重于光电子学方面,在微电子学中的应用相对较少。表4列举了LiNbO3薄膜主要的应用示例[17~18,21~23,26~27]。

313 几种LiNbO3薄膜的应用器件

不同器件对LiNbO3薄膜的要求见表5[28]。

¹声表面波发生器(SAW):表面声波发生器是利用叉指状电极在压电体中激发起沿着表面层传播的高频超声波,可用于实现滤波、延时、脉冲的压缩与扩展、卷积等多种电子学功能[21]。

º红外图像转换器:铁电薄膜在红外上检测的应用,尤其是军用方面一直受到人们的关注,传统的红外探测器是HgxCd1-xTe等半导体光量子型探测器。为了提高探测的信嗓比,这类探测器需要在低温下工作,成像系统必须配有制冷装置,使用极其不便,与之相比,热释电红外探测器具有响应光频宽,可在室温下操作等优点,能满足常温下对物体热成像的,分

8030-01085,0160

[1**********]

2@10-617@10-64164@103

75003700

68材 料 热 处 理 学 报第23卷

辨率高、反应快、能与微电子技术相集成的优点,因此,铁电薄膜成为制作高性能薄膜型热释电红外探测器的首选材料[29]。由于LiNbO3薄膜具有较好的热电效应,可以因红外光的辐射

而产生电场,改变衬底的耗散电流,使红外光信号转为电信号,因而可用LiNbO3薄膜制作红外探测器等器件。

表4 LiNbO3薄膜在微电子学、微声学和光电子学的主要应用[17~18,21~23,26~27]

Table4 MainapplicationsofLiNbO3thinfilminthemicroelectronics,microacousticsandphotoelectroincs

应用器件表面声波发生器非挥发性存储器红外图像转换器

应用性质压电性质电滞开关性质热电性质

对材料的要求

压电系数大、机械损耗低剩余极化大、耐疲劳性好、矫顽场强低、D-E回线矩形度好热释电系数大、介电常数小介电损耗低、电阻率高

光波导器件空间光调制器体全息实时存储器光学倍频器

电光性质电光性质电光性质电光性质

电光系数大光折变性好光折变性好

非线性光学性能好、SHG系数大

012~210015~510011~10012~2101~5薄膜厚度(nm)2~10011~013

制备加工中的关键技术

薄膜外延生长、与衬底材料兼容、薄膜表面平滑均匀、光刻技术与硅技术兼容、光刻技术、电极材料的选择、阻挡层的选择

外延或高度择尤取向薄膜的制备,与初底材料兼容、光刻技术、适于半导体硅谷工艺的微细加工

外延薄膜生长、薄膜表面平滑、光洁、与衬底材料兼容

光刻技术、器件技术、与衬底材料兼容光刻技术、器件技术、与衬底材料兼容外延薄膜生长、光刻技术、薄膜光学质量好

表5 不同器件应用对薄膜材料的要求[28]Table5 Demandsofdifferentdevices.applications

forthethinfilmmaterials

光折变器件¹大的n3rijPEº高耦合系数»高衍射系数¼较快的响应时间½优质和高结晶性¾TcU150e

电)光器件¹大的rijPEº$nfP$ns»低操作电压¼低空间电荷区½优质和高结晶性¾TcU150e

电子记忆器件

¹剩余极化大,耐疲劳性好º矩形电滞回线、高极化强度»低的可逆介电系数¼较快的开关响应½厚度

密性高、高微观结构均匀性的铌酸锂薄膜。由于铌酸锂的各向异性,c轴垂直于基板时,薄膜产生的二级非线性光学等性能最佳,因此要求薄膜能沿着c轴生长;从目前在异质基板上生长薄膜的技术来看,形成的薄膜大部分是多晶薄膜(或陶瓷薄膜),因此,必须设法控制制备条件或参数,使尽可能多的晶粒具有相同的取向,即要达到高取向性;由于铌酸锂薄膜在光集成或光电集成器件中起着光波导、光调制和光开关等功能,光信号常沿着薄膜表面方向传播,薄膜中存在任何缺陷(如气孔、污染的晶界、微观结构或组织不均匀),都会引起光信号传输损耗的增长,因此,薄膜必须要求高致密性和具有高微观组织结构的均匀性。一般气相沉积方法可实现薄膜的高致密性,但在整个沉积范围常会出现薄膜微观组织结构的不均匀性。采用溶胶-凝胶法制备条件控制不当也会出致密性和微观结构不均匀等问题。

从目前发表的论文数量看,采用激光沉积方法较多,这种方法在设备上比分子束外延技术简单的多;从形成铌酸锂薄膜的原料讲,比MOCVD、CVD和溶胶-凝胶技术简单,只要有设定组成的铌酸锂陶瓷靶即可;从形成薄膜的质量讲,虽然比分子束外延技术形成的薄膜要差一些;但与MOCVD技术形成的薄膜相当;更为重要的是比溅射法形成的薄膜要好得多,这主要由于看起来激光沉积技术与热蒸发技术相似,但实际上在激光作用下,气相产物与热蒸发有本质上的差异。

目前制备铌酸锂薄膜的水平可从表2中看出。总的来讲,高质量的薄膜对基板条件较为敏感,光损仍有些偏大。

国内南京大学、浙江大学等单位在20世纪90年代中期以来开展了采用激光沉积在硅等单晶基板上生长铌酸锂薄膜的研究工作。通过用二氧化硅或氧化锌等氧化物作为过渡,c,并

注:表中n)))折射率;rij)))材料电光系数;E)))介电常数;

»光波导器件

[24]

:波导开关及调制器在光纤通信系统中

的应用日益重要,因为LiNbO3有较大的电光系数(见表3),当前大多数光波导器件由LiNbO3表面扩散Ti而制成。由于LiNbO3等可在不同衬底上生长外延薄膜,利用适当的隔光层,便可直接将光波导器件集成于Si中,这些器件可生长在单晶衬底(如红宝石,它是电子、光电子器件的适当衬底)。上述应用对薄膜的要求较高,如要求高密度、细晶粒、单相性要好,并需有一定的结晶取向度或外延性生长。

¼激光倍频器[24]:为了提高光盘的存储能力,需采用波长较短的光,一般可利用铁电材料的倍频效应反二极管激光器输出的红外或红外光倍频。把光束限制在光波导中可提高倍频效率,因基频光倍频光沿同一路径传播,有利于位相匹配。对LiNbO3等薄膜的要求是:高透明度、均匀、一定的薄膜取向,高光学质量。

314 LiNbO3薄膜的发展前景

从铌酸锂薄膜在光集成或光电集成器件应用角度来讲,c致

第1期张一兵等:LiNbO3薄膜的制备方法和应用前景69

能够产生光波导的功能。与国际水平相当。

通过制备条件的优化、异质基板的过渡层的选择和优化,

参

考

将会在异质的基板上生长出c轴取向和高微观结构均匀的铌酸锂薄膜,并制备出相应的光集成或光电集成器件。文

献

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:5718~5720.

Ô材 料 热 处 理 学 报第23卷

componentinZrO2PNiCoCrAlYcompositecoatings,andreachesthemaximumvaluesinpureNiCoCrAlYcoating.Theformingofoxidesmaychangethepropertiesofthecoatingssuchasthermalexpansioncoefficientandelasticmodulus,whichshouldbetakenintoaccountduringcompositiondesignofairplasmasprayedceramicPmetalgradedcoating.Keywords:

ceramicPmetalgradedcoating;

plasmaspraying;

oxidizingreaction.

EffectofAgeingandRetrogressionTreatmentsonMechanicalandCorrosionPropertiesof7075AluminumAlloy

LIUJ-ihua,LIDi,LIUPe-iying,GUOBao-lan,ZHUGuo-wei

(FacultyofMaterialsScienceandEngineering,BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Beijing,100083,China).

TransMaterHeatTreat,2002,23(1):50~53,fig.5,table3,ref13.Abstract:Thestresscorrosioncracking(SCC)behaviorandthestrengthpropertiesof7075aluminumalloywithvarioustempershavebeenstudiedusingslowstrainratetension(SSRT)techniqueandaVickersmeter.Theexperimentalresultsshowthatthehardness,thestrengthandtheSCCsusceptibilityof7075aluminumalloyaregreatlyconcernedwiththeageingtimeandtheageingtemperature.Atastrainrateof9.68@10-7s-1,thestrengthof7075-T6aluminumalloyismaximalamongonestepageing,butmostsusceptibletoSCC.TheoverageingsuchasT7351andA180canimprovetheSCCresistanceandstrengthcrackingSSRT,butcauseastrengthlossofapproximate20%duringSSRT.Theresultsalsoindicatethatretrogressionandre-ageing(RRA)mayincreasetheSCCresistanceofthe7075aluminumalloywithoutsacrificingitsstrength.Keywords:retrogressionandre-ageing;precipitationstrengthening;stresscorrosioncracking;slowstrainratetension

StudyofAnti-corrosionCharacterofNet-shapeCathodeSuptteringontheSurfaceofTitaniumAlloybyTantalizingCHENFei,PANJun-de,DOURu-ifen,ZHANGYue-fei,TANGBin,XUZhong(ResearchInstituteofSurfaceEngineeringofTaiyuanUniversityofTechnology,Taiyuan030024,China).

TransMaterHeatTreat,2002,23(1):54~56,fig.7,table1,ref7.Abstract:Anewne-tshapecathodesputteringtargetwhichhasasimplestructureandahighsputteringwasputforward.Themultiple-structureofalloyingandcoatinglayersoftantalumwasachievedonthesurfaceofTC4bydoubleglowsurfacealloyingprocess.Thetantalizedsampleswereinvestigatedelectrochemicalcorrosionmethod.

by

SEM,

XRD

and

ZHANGZeng-qi,LIUYao-zhong,FANZh-iqiang(LuoyangBearingResearchInstitute,Luoyang471039,China).

TransMaterHeatTreat,2002,23(1):57~60,fig.2,table2,ref8.Abstract:Thispaperintroducesthestudyforaustemperingofhighcarbonchromiumbearingsteelshomeandabroad.Themicrostructureandmechanicalpropertiesafterquenchingareanalyzedcomparably,theadvantageandapplicationofaustemperinginproductionaresummarized.TheequipmentforaustemperinginChinaisintroduced.Keywords:highcarbonchromiumbearingsteels;austempering;application;microstructure;mechanicalproperty

SurfaceModificationandProspectsofToolsandDiesbylonlmplantationHUANGNa-can,HUShe-jun,WUQ-ibai,ZENGPeng,XIEGuang-rong(GuangdongUniveristyofTechnology,

Guangzhou

510643,China).

TransMaterHeatTreat,2002,23(1):61~64,fig.5,table2,ref31.Abstract:Thisarticletracesthedevelopmentofionimplantationtechnologyandtheachievementinresearchandapplicationontoolsanddies.modificationthroughionimplantationinChinaandadvancedindustrialcountriesintheworld.TheprofitableexploreandappliedexamplesinChinaaboutionimplantationimprovingtoolsanddies.capabilityonresistingabrasionandmakinghardlayertougharerevealedespecially.Thejudgmentthatindustrializationprocessofsurfacemodificationthroughionimplantationhasbeenundertakenismade.Accordingtoeconomicfactorsandindustrializationpolicy,thesuggestionisputforwardonextendingmaterialsmodificationtechnologythroughionbeamandpromotingthistechnology.sindustrializationprocess.

Keywords:ionimplantation;surfacemodification;tools;dies;industrialapplication

Preparations,Performances,ApplicationsandDevelopmentPerspectiveofLiNbO3thinfilm

ZHANGY-ibing1,WENGWen-jian2,DUP-iyi2,SHENGe2,HANGao-rong2,YEZh-izheng2(1.DepartmentofChemistry,Shangrao

Teachers.College,ShangraoJiangxi334001,China;2.TheStateKeyLaboratoryofSiliconMaterials,DepartmentofMaterialsScience&Engineering,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027,China).TransMaterHeatTreat,2002,23(1):65~69,fig.0,table5,ref31.Abstract:

Inthispaperthepreparations,

performancesand

applicationoftheLiNbO3thinfilmsarereviewed.TheperformancesoftheLiNbO3thinfilmsarediscussedindetail.TheapplicationsandthedevelopmentperspectiveoftheLiNbO3thinfilmareintroduced.Keywords:

LiNbO3;

thinfilm;

preparations;

performances;

applications;developmentperspective

Keywords:TC4;cathodesputtering;tantalizingAustemperingandItsApplicationinBearing